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机译:在基于紧凑表面电位的mOsFET模型中修改转换因子
Kevkić Tijana; Stojanović Vladica; Petković Dragan;
机译:动态耗尽SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑建模
机译:考虑到随机掺杂波动的基于表面电势的MOSFET紧凑模型
机译:完全耗尽的SOI-MOSFET的完全基于表面电势的紧凑模型,包括短沟道效应
机译:动态耗尽SOI MOSFET的基于表面电势的紧凑模型
机译:基于表面电位的先进紧凑型MOSFET模型。
机译:基于表面电位的P-GaN门垫的紧凑型造型
机译:基于表面电位的紧凑型模型,用于部分耗尽的绝缘体上硅mOsFET
机译:mOsFETs动态特性的紧凑建模
机译:使用随机搜索算法确定MOSFET紧凑模型的模型参数的方法
机译:用于设备/电路/芯片泄漏电流(IDDQ)计算的紧凑模型,包括过程引起的上升因子
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